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투명메모리

국내연구진, 전체가 투명한 메모리소자 만들었다

(서울=연합뉴스) 이주영 기자 = 국내 연구진이 투명한 컴퓨터 등 미래 투명전자 기술 실현에 토대가 되는 투명 메모리소자 제작기술을 처음으로 개발했다.      KAIST 전자전산학부 임굉수 교수와 서중원(박사과정)씨, 박재우 교수팀은 15일 투명한 유리 기판 위에 투명한 금속산화물을 전극 등으로 사용해 차세대 투명 저항변화메모리(TRRAM) 소자를 만들었다고 밝혔다.      이 연구결과는 미국물리학회(AIP)의 응용물리학 학술지 '어플라이드 피직스 레터스(Applied Physics Letters)' 12월호에 게재됐으며 미 물리학회는 이 결과를 주목할만한 기술로 홈페이지에 소개했다.      연구진이 개발한 투명메모리(TRRAM)는 현재 많은 쓰이는 CMOS반도체(상보적 금속/산화물 반도체)를 이용한 USB형 플래시 메모리처럼 전원이 제거돼도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 소자이다.      하지만 이 투명메모리는 투명한 유리나 플라스틱 기판 위에 투명 전극과 투명 산화물박막 등으로 구성돼 있어 전체가 투명하게 보이며 기존 실리콘 기반의 CMOS 플래시 메모리보다 공정이 훨씬 간단하고 사용기간도 10년 이상으로 매우 길다.      연구진은 투명메모리 소재로 투명해 빛을 잘 투과하는 동시에 전기가 잘 통하는 산화인듐주석(ITO)과 산화아연(ZnO)을 사용했다.      이 투명메모리는 기술적으로는 이미 상업적 개발이 진행중인 저항변화메모리(RRAM)를 이용한 것이다. 투명한 금속산화물로 만들어지는 RRAM은 구조가 간단하고 기존 CMOS 반도체 기술과도 호환성이 있어 차세대 메모리소자로 기대를 모으고 있다. &nb...

KAIST 오픈리뷰 투명메모리 2008.12.15

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