디지털 디바이스 / 스토리지 / 퍼스널 컴퓨팅

“셀당 4비트” 인텔과 마이크론, QLC NAND로 1테라비트 집적도 구현

Gordon Mah Ung | PCWorld 2018.05.23
인텔과 마이크론은 업계 최초로 QLC(Quad-Level Cell) NAND 다이를 공급할 것이라고 발표했다. 앞으로 SSD가 용량은 더 커지고 가격은 더 저렴해질 것으로 보인다.

QLC 기술은 NAND 셀의 셀 하나 당 4비트를 저장하는데, 현재 많이 사용하는 TLC(Triple-Level Cell) NAND보다 저장 공간이 ⅓ 늘어난다. QLC는 가장 집적도가 높은 플래시로, 인텔과 마이크론은 NAND 플래시 다이 하나에 1테라비트의 정보를 저장할 수 있다고 밝혔다.



SSD 용량은 서서히 증가해 왔다. 최초의 SSD인 SLC(Single-Level Cell)는 셀 하나에 1비트를 저장했고, 뒤를 이은 MLC(Multi-Level Cell)는 셀 하나에 2비트, 그리고 TLC는 3비트를 저장한다. QLC를 통해 인텔과 마이크론은 또 한 단계의 진전을 이뤄낸 것이다.

마이크론의 기술 개발 담당 최고 부사장 스콧 디보어는 “64계층 4비트/셀 NAND 기술을 도입함으로써 우리는 TLC와 비교해 33% 더 높은 집적도를 달성했으며, 반도체 사상 처음으로 1테라비트 다이를 상용화할 수 있게 됐다”라고 강조했다. 또 “우리는 96계층 구조로 플래시 기술의 진화를 계속해 나갈 것이며, 더 적은 공간에 더 많은 데이터를 축적해 워크로드 역량과 애플리케이션 구축의 가능성을 개척할 것이다”라고 덧붙였다.

공동 개발사인 인텔 역시 새 기술의 파급효과를 강조했는데, 인텔 비휘발성 메모리 기술 개발 담당 부사장 RV 기리드하는 “1테라비트 4비트/셀 기술의 상용화는 NVM 역사에서 큰 이정표이며, 기술과 설계에서 우리의 플로팅 게이트(Floating Gate) 3D NAND 기술의 역량을 더욱 확장하는 수많은 혁신을 가능하게 할 것”이라고 말했다. 또 “셀당 4비트로의 변화는 데이터센터와 클라이언트 스토리지의 집적도와 비용 측면에서 새로운 동작점을 가능하게 할 것”이라고 덧붙였다.

QLC의 혁신 외에도 인텔과 마이크론의 임원은 계층을 50% 더 높일 수 있는 3세대 3D NAND도 발표했다. 이 기술은 CuA(CMOS under the Array) 기술을 사용해 다이 크기를 줄이고 성능을 높였다. 새로운 QLC용 웨이퍼는 인텔의 Fab 68은 물론 마이크론의 싱가포르 공장에서 생산한다.

마이크론의 5210 ION SSD는 QLC NAND를 사용할 예정이다.

두 업체 모두 신형 다이를 공급한 고객이나 실제 제품을 구매할 수 있는 시기, 가격에 대해서는 밝히지 않았다. 하지만 TLC NAND가 통상 보급형 스토리지 영역을 대상으로 하고 있기 때문에 신형 QLC 제품이 출시되면 SSD 가격은 다시 한 번 극적인 변화를 겪을 것으로 보인다.

한편, 마이크론은 첫 QLC 기반 SSD 제품을 데이터센터용으로 발표했는데, 마이크론 5210 ION은 표준 2.5인치 SATA 드라이브로 출시된다. 용량은 1.92TB~7.68TB이다.  editor@itworld.co.kr

회사명 : 한국IDG | 제호: ITWorld | 주소 : 서울시 중구 세종대로 23, 4층 우)04512
| 등록번호 : 서울 아00743 등록발행일자 : 2009년 01월 19일

발행인 : 박형미 | 편집인 : 박재곤 | 청소년보호책임자 : 한정규
| 사업자 등록번호 : 214-87-22467 Tel : 02-558-6950

Copyright © 2024 International Data Group. All rights reserved.