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디지털 디바이스

삼성, 3D DDR4 DRAM 모듈 생산 착수

Agam Shah  | PCWorld 2014.08.28
삼성이 3차원 적층 칩 패키징 기술인 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 차세대 DDR4 (double-data rate 4) 메모리를 기반으로 서버용 64GB DRAM 모듈 생산에 착수했다.




삼성 메모리 칩은 진보된 20나노 제조 공정을 통해 생산된다. 64GB는 DRAM중 가장 큰 용량이다.

기존 메모리 칩들은 DIMM에 수평적으로 적층되고 있는데, 삼성은 날로 소형화되고 있는 메모리칩을 수직방향으로 쌓아서 고집적도의 장점을 구현했다. DDR3과 비교해 보면, DDR4는 50% 향상된 메모리 대역폭을 제공하며, 35%이상의 전력 절감 효과가 있다.

DDR4은 다음 분기부터 서버와 게임용 PC의 DDR3 DRAM을 점차 대체하기 시작할 것으로 보인다. 인텔 역시 오는 9월 초 레노버와 델 서버에서 사용될 DDR4 호환 칩의 출시를 앞두고 있다.

인사이트 64(Insight 64)의 수석 애널리스트 나단 브룩우드는 “데이터센터에 이용되는 애플리케이션에는 특히 삼성 최신 메모리가 유용할 것이다”고 말했다. 오라클과 SAP가 제공하는 데이터베이스와 분석 애플리케이션들은 애플리케이션 성능을 향상하기 위해 메모리에 데이터를 보관하기 때문이다.

이어 “DRAM 칩의 집적도를 높이는 건 정말 어려운 작업이다”며, “적층 기술은 현재 사용되는 DRAM 칩 기술을 이용해 2배 더 많은 용량을 생산할 수 있는 좋은 방법이다”고 덧붙였다.

스택 안의 메모리 칩들은 최신 메모리 기술의 차세대 처리 매커니즘인 TSV 커넥터를 통해 연결된다. TSV는 마이크론(Micron)는 신흥 HMC(Hybrid Memory Cube)기술에 이미 적용한 바 있으며, 엔비디아도 수년 내로 그래픽 칩을 생산하는 데 TSV를 사용할 예정이다.

한편, 크루셜(Crucial)과 아다타(Adata)와 같은 메모리 제조사도 DDR4 DIMM을 출하하고 있지만, 아직은 저용량 제품에 그치고 있다. editor@itworld.co.kr 
 Tags 삼성 메모리 DRAM 반도체 DDR4

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