삼성전자 반도체 부문 낸드 마케팅 이사 스티브 웨인거는 "소위 V-낸드(V-NAND) 플래시 메모리라 불리는 이 칩은 스토리지 모듈을 수직으로 쌓아 올리는 3D 구조를 채택했다"며, "삼성은 이 새로운 플래시 칩을 대량 생산하고 있으며, 인증과 테스트를 마쳤다"고 말했다.
또한 "이 기술은 올해에 기업용 SSD 드라이브에, 내년에는 모바일 기기에 적용될 것으로 보인다"고.
이 3D 메모리는 스토리지 모듈이 나란히 위치해 있는 종래의 낸드 플래시와는 현저히 다르다. 웨인거는 "하나의 칩 패키지에 24개의 낸드 레이어를 쌓았으며, 각 레이어는 독자적인 인터커넥트 기술에 의해 연결됐다"고 설명했다.
웨인거가 묘사한 바에 따르면 이 비밀 병기는 기존의 낸드보다 3D 스토리지를 더 빠르게 만들 수 있다. 3D 적층 기술은 엄청난 능력의 낸드 플래시를 제조하는 것을 도와준다. 웨인거는 최초 제품은 용량 범위가 128GB에서 1TB까지 이를 수 있다고 말했다.
웨인거에 따르면, 3D 적층 기술이 낸드 플래시에서 사용된 것은 처음이며 삼성은 3D 디자인으로 전환하고 있는 중이라고. 기존 낸드 플래시 기기는 가로로 펼쳐져 있기 때문에 칩 크기를 줄이는 것이 커다란 과제가 됐다.
머큐리 리서치 대표 애널리스트 딘 맥카론은 "반도체 산업에서 칩 적층 기술에 대한 토론은 수년째 계속되어 왔으며, 이번 발표로 삼성의 기술은 메모리 산업에서 선도 역할을 한다는 것을 보여줬다"고 말했다.
맥카론은 "하나의 상자에 많은 물건들을 놓으려고 할 때 그 물건을 최대한 적게 만드는 프로세스 기술은 한계에 다다랐기 때문에 이를 쌓기로 한 것은 지극히 당연한 수순"이라고 말했다. editor@itworld.co.kr