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플래시메모리

“NAND 메모리 칩 가격 폭등?” 엇갈린 전망에 신중한 대응 필요

대만 디지타임즈(DigiTimes)에 따르면, 메모리 칩 제조업체들은 2020년에 NAND 플래시 고정 거래 가격(Contract Price)이 생산 차질과 수요 증가로 최대 40%까지 오를 것으로 전망한다. 메모리 카드와 USB 플래시, SSD의 가격에 영향을 미칠 수 있다.   디지타임즈는 대만 메모리 제조업체의 정보원을 인용했는데, NAND 플래시 최대 제조업체는 삼성이나 도시바, 마이크론 등 대만 업체가 아니라는 점을 고려할 필요가 있다. 또 SSD의 고정 거래 가격은 지난 몇 년 동안 지속적으로 하락했으며, 2019년 2분기 NAND 생산 감소 인한 문제가 생겼을 때 오른 바 있다. 하지만 DRAMeXchange도 수치는 다르지만, 마찬가지로 가격이 오를 것으로 보고 있다. DRAMeXchange는 2020년 1분기 NAND 플래시 웨이퍼 고정 거래 가격이 2010년 4분기보다 10% 오를 것으로 전망했는데, 12월에 이미 10%의 가격 인상이 이루어졌다고 전했다. 가격 인상에 영향을 미치는 요소로는 여러 가지가 거론되고 있다. 아마존이나 구글 같은 초대형 고객의 데이터센터 구축 증가도 원인 중 하나로 거론되며, 상반기에 출시된 애플 아이폰 신제품 출시도 시장에 영향을 미칠 수 있다. 또한 웨스턴 디지털과 도시바의 일본 요카치 공장 정전 사고로 몇 주간 생산이 중단된 것도 원인 중 하나로 지목됐다. NAND 가격 전망에 관한 추가 정보를 보면, 디바이스 제조업체가 물량 확보에 나설 경우 가격은 더 오를 수도 있을 것으로 보인다. 12월 31일 삼성전자 공장의 정전 사고도 무시할 수 없다. 하지만 메모리 분야 전문가인 오브젝티브 어낼리시스의 대표 애널리스트 짐 핸디는 이런 전망이 과장된 것이라고 평가했다. 특히 도시바 보고서에 대해 “수개월 전 도시바 정전 사고가 막대한 공급 부족을 야기했는지 생각해 보라. 그런 일은 일어나지 않았다. 반도체 업체는 절대로 생산량을 줄이지 않는다. 생산 단가가 올라가기 때문에 독약을 마시는 것과 마찬...

플래시메모리 NAND 가격 2020.01.09

마이크론도 QLC 대열에 합류…4비트 셀 플래시로 스토리지 집적도 33% ↑

마이크론이 QLC(quadruple-level cell) 플래시 메모리 생산 계획을 밝혔다. 도시바와 웨스턴 디지털에 이어 또 하나의 주요 NAND 플래시 메모리 업체가 QLC 대열에 합류했다. QLC는 매우 기술적인 이야기지만, 실질적인 파급효과도 매우 크다. NAND 플래시 메모리는 셀 하나에 1비트씩 데이터를 저장하며, 플래시 메모리 칩에는 수십억 개의 셀이 있다. 플래시 드라이브가 용량을 늘리는 방법은 두 가지이다. 단순하게 드라이브 내의 칩 수를 늘리는 것이 가장 확실한 방법이지만, 물리적인 한계가 있다. 또 다른 방법은 셀 당 집적도를 높이는 것으로, 물리법칙의 제약이 있다. 셀 하나에 1비트를 저장하는 SLC(single-level cell)는 1980년대 말 메인프레임용 플래시 드라이브로 처음 등장했다. 1990년대 말에는 셀 하나에 2비트를 저장하는 MLC(multi-level cell)가 등장했다. 셀 하나에 3비트를 저장하는 TLC(Triple-level cell)는 2013년 삼성이 840 시리즈 SSD를 출시하며 첫선을 보였다. 즉 플래시 메모리의 발전에는 관련 업계가 막대한 연구개발 자금을 투여하고 있음에도 상당한 시간이 걸린다. 셀 하나에 1비트 이상을 저장하는 플래시 메모리 칩은 각 셀 당 전하의 수를 관리해 데이터를 저장한다. 각각의 새로운 셀은 전압 상태의 수가 두 배가 된다. SLC NAND는 두 가지 전압 상태만을 다루지만, MLC는 4가지, TLC는 8가지, 그리고 QLC는 무려 16가지 전압 상태를 다룬다. 이는 전압의 변동에 대한 내성이 너무 약해진다는 단점이 있다. 집적도가 높아질수록 SSD를 탑재한 컴퓨터에는 전력을 극히 안정적으로 공급해야 한다. 그렇지 않으면 셀이 손상될 위험이 크다. 다시 말해 이런 기술은 구현하기도 어려울 뿐만 아니라 절대로 저렴하지 않다. SSD 업계로서는 딜레마가 아닐 수 없다. SLC는 최고의 내구성과 최상의 전압 내성을 갖지만, 용량이 적다. 플래시 사...

SSD 플래시메모리 마이크론 2018.02.21

ITWorld 용어풀이 | SSD(Solid State Drive)

SSD(Solid State Drive) 메모리 기술의 발전 속도가 아찔할 정도로 빠릅니다. 지난 8월 8일부터 11일까지 미국 캘리포니아 주에서 열린 플래시 메모리 서밋 컨퍼런스에서는 유수의 메모리 업체가 앞다투어 최신 기술 성과와 시제품을 공개하고, 2017년 청사진을 발표했습니다. 올해 초 삼성은 2.5인치 노트북용 SSD와 크기가 같은 15TB SSD를 출시했습니다. 3만 2,000 IOPS, 1,200Mbps 이상 순차 읽기 쓰기 속도라는 엄청난 성능을 갖췄는데, 물론 일반 사용자용이 아니라 기업용 스토리지에 적합한 제품입니다. 시게이트 역시 2017년까지 60TB 초대용량 SSD를 출시할 계획을 밝혔습니다. 이들 초대용량 SSD는 주로 서버나 플래시 어레이에서 급증하는 모바일 기기, 온라인 스트리밍, 사물 인터넷 관련 데이터를 다루는 용도로 쓰일 예정입니다. SSD는 반도체 칩에 데이터를 기록하는 저장 장치입니다. 내부의 미세 회로를 오가는 전자의 움직임으로 데이터를 처리하므로 속도가 매우 빠른 것이 장점입니다. HDD같은 기존 저장 장치처럼 자기 플래터나 헤드와 같이 움직이는 부품이 없어 물리적 충격에 강하고 소음도 적습니다. HDD(왼쪽)와 SDD(오른쪽)의 내부 비교 SSD의 핵심 부품은 데이터 저장용 메모리, 데이터 교환을 제어하는 컨트롤러, 버퍼 메모리입니다. 메모리 중에서도 전원이 꺼지더라도 데이터를 보존할 수 있고, 데이터 읽고 쓰기가 자유로운 플래시 메모리가 주로 사용됩니다. SSD에 쓰이는 플래시 메모리는 종류에 따라 한 개의 기억 소자당 1bit를 저장하는 SLC(Single Level Cell)와 2bit 이상을 저장하는 MLC(Multi Level Cell), 3bit를 저장하는 TLC(Triple Level Cell) 등으로 나뉩니다. 각각 속도, 가격과 수명이 조금씩 다른데, 일반적으로는 MLC 타입을 많이 사용하는 추세입니다. SSD는 1960년대 물리적 충격에 약한 HDD의 대안으로 NASA에서...

SSD 플래시메모리 NAND 2016.08.11

인텔, “메모리의 미래” 3D 크로스포인트 기술 적용한 SSD '옵테인', 2016년 출시

화요일, 샌프란시스코에서 열린 인텔 개발자 포럼에서 인텔이 3D NAND 플래시 메모리 크로스포인트 기술을 적용한 첫 SSD 제품을 2016년 안에 인텔 옵테인(Optane)이라는 브랜드 명으로 출시할 예정이라고 발표했다. 인텔은 지난 달 3D NAND 플래시 기술을 처음 발표한 바 있다. 마이크론과 공동 연구로, NAND 플래시 메모리 기술이 도입된 후 25년 만에 최초로 선보이는 첨단 메모리 및 스토리지 기술이라고 밝혔다. 이 날 포럼에서 인텔은 옵테인 SSD를 제품화해 2016년 안에 서버부터 저전력 랩톱까지 많은 제품에 적용할 계획이라고 발표했다. 또한, 서버의 주 시스템 메모리로 DIMMs를 상용화할 계획을 밝혔으나 이 또한 2016년에 출시될지 여부는 확실하지 않다. DIMMs 메모리는 향후 인텔 제온 서버 프로세서에 적용된다. 3D 크로스포인트 플래시 메모리는 기능상 DRAM과 플래시의 중간에 위치할 것으로 보인다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리가 DRAM보다 집적도가 10배 더 높고, 플래시 메모리보다 1,000배 더 빠르다고 밝혔다. 동시에 플래시처럼 비휘발성 메모리인데, 이는 전력 공급이 중단된 후에도 데이터를 보유함을 의미한다. 인텔 CEO 브라이언 크르자니크는 3D 크로스포인트 프로토타입을 시연해 보였는데, 개발사가 주장하는 것처럼 빠르지는 않았지만, 인텔의 제일 빠른 NAND 플래시 메모리 속도보다 약 7배 빠른 성능을 보였다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리 기술이 기업 분석 프로그램부터 컴퓨터 게임까지 모든 분야에서 사용되는 데이터 증가분을 다루게 될 것이라고 밝혔다. 크르자니크는 “현재의 스토리지 설계는 병목 현상을 겪고 있다”고 지적했다. 인텔은 훨씬 더 현실에 가깝고 몰입도 높은 컴퓨터 게임이 쏟아져 나올 것을 기대한다며, 3D 크로스포인트 메모리 기술이 게이머가 게임 장면이 디스크 드라이브에서 로딩되는 것을 기다리지 않고, 각 게임 장면이 즉각...

플래시메모리 인텔 DRAM 2015.08.19

3D 크로스포인트는 “불멸의 메모리 기술”인가

인텔과 마이크론은 이번 주 NAND 플래시보다 1,000배 빠르고 내구성도 1,000배 뛰어다고 주장하며 대량생산을 계획하고 있는 새로운 메모리 타입을 공개했다. 내구성 1,000배는 쓰기-지우기 주기 수명 100만 회에 달하는 것으로 이 새로운 메모리는 거의 영원에 가까운 시간 동안 사용할 수 있게 될 것이다. 비교하자면 오늘날의 NAND 플래시는 3,000회에서 1만 회의 쓰기-지우기 주기의 수명을 가지고 있다. 웨어레벨링 및 오류 수정 소프트웨어를 통해 그 주기가 늘어날 수 있지만 여전히 최대 10만 회정도에 그친다. 크로스포인트 아키텍쳐는 비트-저장 트랜지스터의 필요성을 없애고 대신 1이나 0의 신호를 내기 위해 전자 저항을 활용하는 와이어 격자를 활용한다 (자료: Interl, Micron) 3D 크로스포인트(3D XPoint)는 대량 스토리지 급 메모리로 DRAM보다는 느리지만 생산단가가 더 저렴하고, NAND 플래시보다는 훨씬 속도가 빠르다. 무엇보다도 비휘발성이라서 전원이 꺼지더라도 데이터는 NAND 플래시처럼 그대로 남는다. 오브젝티브 애널리시스(Objective Analysis) 애널리스트 짐 핸디는 “NAND 플래시보다는 조금 더 비싸고 DRAM보다는 저렴하고, NAND보다는 더 빠르지만 DRAM보다는 조금 느리다. 이는 메모리 체계에 또 하나의 층을 더하는 것과 같다. 그게 잘 통할지는 모르겠지만”이라고 밝혔다. 3D 크로스포인트 업체들은 이를 25년만에 완전히 새로 개발된 메모리라고 강조한다. 애널리스트들에 의하면 인텔과 마이크론은 그 점에 있어선 전혀 과장이 아니라고 한다. 3D 크로스포인트는 DRAM과 NAND 플래시 사이에 위치해 기업 데이터 센터의 인스턴스를 교체할 수 있고 점차 소비자 데스크톱과 노트북에까지 진출하게 될 것이다. 미스터리 물질 곧 생산에 들어간다고 발표한 상황에서도 마이크론과 인텔은 이 제품의 많은 부분을 미스테리로 남겨두었다. 예를 들어...

플래시메모리 마이크론 인텔 2015.07.31

느린 스마트폰? "원인은 프로세서가 아니라 NAND 플래시 메모리"

스마트폰에 사용되는 NAND 플래시 메모리가 웹 브라우징이나 이메일 로딩, 게임, 심지어 페이스북이나 구글+와 같은 소셜 네트워크 사이트의 성능에도 심각한 영향을 미친다는 연구 보고서가 주목을 받고 있다.    사용자와 전문가들은 보통 프로세서의 성능과 무선 네트워크 연결을 스마트폰 성능 저하의 주범으로 지목하는데, NEC의 조지아기술연구소 연구원들에 따르면, 스토리지가 더 큰 문제인 것으로 나타났다.   이들 연구원은 여러 가지 안드로이드 스마트폰에 사용되는 주요 16GB 내장 플래시 메모리 카드 주요 제품을 테스트했는데, 와이파이 네트워크 상에서 성능이 애플리케이션에 따라 100~300%까지 차이가 나는 것으로 나타났다. 한 테스트에서는 성능이 20배까지 차이가 나기도 했다.   조지아공대 컴퓨팅대학의 박사과정 김효준은 “사용자가 허비하는 시간은 웹 사이트가 로드되기를 기다리는 시간과 애플리케이션이 실행되기를 기다리는 시간”이라고 지적했다. 또 앱이 로딩되기를 기다리게 만드는 빈약한 플래시 성능은 스마트폰의 배터리 소모에도 치명적인 영향을 미친다. 이번 보고서의 대표 작성자인 김효준은 이번 연구 결과를 유즈닉스 컨퍼런스에서 발표했다.   김효준은 무선 네트워크 성능은 스마트폰들이 듀얼코어 CPU를 사용하는 등 첨단화되면서 오늘날 모바일 애플리케이션과 보조를 맞추고 있다고 평가했다. 오히려 문제가 되는 것은 NAND 플래시 메모리의 대역폭이다.   이번 연구는 플래시 메모리의 부족한 성능이 임의의 읽기 작업을 많이 하는 애플리케이션 데이터베이스로부터의 임의의 입출력 때문이라고 밝혔다. 플래시 메모리에서 임의 읽기 성능은 순차적인 쓰기 작업 성능과 큰 차이를 보인 것이다.   이번 스마트폰 테스트에는 웹벤치 브라우저, 페이스북, 안드로이드 메일, 구글 지도, 앱 인스톨, 펄스 뉴스리...

스마트폰 플래시메모리 NAND 2012.02.20

"고속 SDXC카드, 내년 중 등장할 것"

최대 2TB 용량과 초당 300MB의 전송율을 보여주는 새로운 'SDXC' 규격에 기반한 신형 SD 메모리가 내년 중 64GB의 용량으로 등장할 전망이다.   SD 연합(SD Association)의 커뮤니케이션 디렉터 케빈 셰이더는 지난 11일 이같이 밝히며 소비자 가전 기기의 용량을 대폭 증가시키는 계기가 될 것이라고 말했다.   SDXC(extended capacity)는 올해 1월 그 규격이 발표된 이후 지난 4월 세부 사양이 배포됐음에도 불구하고 구체적인 등장 시기에 대해서는 언급이 없어왔다.   SD 연합에 가입된 기업은 파나소닉, 도시바, 샌디스크 등 총 1,100곳에 달한다.   셰이더는 SDXC가 SD 규격과 마찬가지로 미니SD와 마이크로SD 등 다양한 규격을 지원할 것이라며 기존 규격인 SDHC에서 나타났던 병목 현상이 대거 제거된 것이 특징이라고 설명했다.   현재의 4배에 달하는 초당 104MB의 속도를 초기에 구현할 수 있으며 향후에는 초당 300MB까지 가능하다는 것.   그러나 초기 등장하는 제품은 초당 52MB의 속도를 지원할 것이라고 그는 덧붙였다.   현재 SDHC 규격으로 제공되는 최대 용량은 32GB다.   한편 새로운 SDXC 슬롯은 구형 SD 및 SDHC 카드와 호환되지만, 구형 슬롯에서는 SDXC 카드와 호환되지 않는다. editor@idg.co.kr  

플래시메모리 SD SDHC 2009.06.12

"삼성전자의 샌디스크 인수, 美 정부가 불허할 것"

삼성전자가 프래시 메모리 칩 제조사 샌디스크에 58억 5,000만 달러에 인수할 의사를 밝히고 샌디스크가 이를 거부한 가운데, 미 정부기관이 이번 거래를 허락하지 않을 것이라는 분석이 제기됐다.   오브젝티브 애널리시스의 메모리 칩 전문 애널리스트 짐 핸디에 따르면, 삼성전자가 샌디스크를 인수하면 글로버 낸드 플래시 메모리 칩의 공급에 대해 과도한 수준의 통제력을 획득할 것으로 관측된다는 것.   이를테면 애플 등의 주요 낸드 플래시 수요 업체가 가격 협상력을 '심각하게 읽을 수 있다"는 우려가 제기된다는 설명이다   핸디는 작년 삼성전자와 샌디스크가 전세계 수요의 50%를 공급했다는 사실을 지적하며 "미 정부가 이번 인수를 허용할 것인지에 대해 의구심이 제기된다"라고 밝혔다.   CLSA의 아태지역 칩 애널리스트 쳉 밍카이도, 미 공정거래위원회가 삼성전자/샌디스크 합병에 대해 독점적인 것으로 판단할 수 있다고 분석했다.   삼성전자는 샌디스크가 도시바와 제조 제휴를 맺었음에도 불구하고 세계 최대의 낸드 플래시 제조사로 자리매김하고 있는 상태다.   도시바와 샌디스크는 낸드 플래시 칩 제조에 공동으로 투자해 그 결과물을 공유해온 바 있다. <IDG KOREA>

샌디스크 인수합병 삼성전자 2008.09.18

삼성전자, 샌디스크 인수 검토

(서울=연합뉴스) 강영두 기자 = 삼성전자가 세계 1위의 플래시 메모리 카드 제조업체인 미국의 샌디스크 인수를 검토하고 있다.      삼성전자 관계자는 5일 "샌디스크 인수를 검토하고 있으나, 아직 내부 검토 초기단계이며 구체적으로 결정된 바는 없다"고 밝혔다.      삼성전자가 샌디스크를 인수할 경우 지적재산권 사용료를 절감할 수 있는 것은 물론 노트북PC용 HDD(하드디스크드라이브)를 대체할 차세대 제품으로 육성중인 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 부문에서도 시너지 효과를 기대할 수 있을 전망이다.      샌디스크는 다수의 플래시 메모리 관련 지적재산(IP)을 확보하고 있으며, 삼성전자로부터도 연간 4천억 원대의 로열티를 받고 있다.      샌디스크는 지난 해부터 플래시 메모리 가격 급락과 더불어 SSD 사업 전망도 불투명하다는 지적을 받아, 현재 시가총액은 작년의 3분의1 수준인 3조5천억 달러로 추락했다.  

샌디스크 인수 삼성전자 2008.09.05

세상을 바꾼 10가지 기술 조합①

디지털 혁명이 우리에게 가르쳐 준 것이 있다면, 너무 어느 것 한 가지에만 집착해서는 안 된다는 사실이다. 최신 기술은 우리가 오래 동안 부여잡고 있던 아이디어들, 그리고 폐쇄적으로 변해버린 산업 군들을 꺼꾸로 돌려 흔들어 버리곤 한다. 한가지 기술이나 혁신의 결과로 엄청난 변화가 발생하는 경우는 흔치 않다. 일반적으로 두 개 이상의 기술이 한 데 모였을 때, 비로소 진정한 변화가 일어나기 시작한다. 우리는 지난 25년 간 가장 파괴적인 영향력을 발휘한 기술 관련 사건들을 살펴보기 위해, 효율적인 원 투 펀치 역할을 했던 기술들을 짝지어 묶어 보았다. 이들 중 가장 그 영향력이 컸던 10가지 기술 조합들을 지금부터 나열해 보도록 하겠다. 10. DVR + 실시간 엔터테인먼트 VCR을 이용해 TV 쇼들을 녹화한 적이 있는가? 해본 사람도 있겠지만 자주 사용하긴 어려웠을 것이다. 너무 시간이 많이 걸리는데다 녹화 과정도 어려웠기 때문이다. 시간을 앞으로 돌려 티보(TiVo)와 리플레이TV (ReplayTV) 디지털 비디오 레코더가 등장한 1990년대 말로 가보자. 한 두 번의 조작으로 타임 시프팅(Time-shifting) 기능을 사용할 수 있게 되고, 더불어 광고만 안보고 넘길 수 있게 된 후, 사람들은 더 이상 방송사의 프로그램 편성표에 연연해 하지 않기 시작했고, 더불어 지나친 광고 때문에 열을 낼 일도 없어졌다. 케이블 및 위성 방송 제공업체들도 DVR을 판매하기 시작했고, 곧 수 백만의 사람들이 소위 “티보잉(TiVo-ing)” 하기 시작했다. 그 중에는 티보를 실제로 만져본 적 없는 사람들도 있었다. 파괴적인 영향력을 미친 다른 여러 기술들과 마찬가지로, DVR들도 결국 콘텐츠 활용에 대한 통제권을 사용자들에게 넘겨줌으로써 이들의 호응을 얻은 것이다. 그러나 소비자들은 이에 만족하지 않았다. 그들은 보고 싶은 프로그램을 원하는 장소, 원하는 시간에 보고 싶어 했다. 이에 2005년 슬링박스는 장소 시프팅 기술을 선...

MP3 냅스터 슬링박스 2008.06.29

세상을 바꾼 10가지 기술 조합 ②

디지털 혁명이 우리에게 가르쳐 준 것이 있다면, 너무 어느 것 한 가지에만 집착해서는 안 된다는 사실이다. 최신 기술은 우리가 오래 동안 부여잡고 있던 아이디어들, 그리고 폐쇄적으로 변해버린 산업 군들을 꺼꾸로 돌려 흔들어 버리곤 한다. 한가지 기술이나 혁신의 결과로 엄청난 변화가 발생하는 경우는 흔치 않다. 일반적으로 두 개 이상의 기술이 한 데 모였을 때, 비로소 진정한 변화가 일어나기 시작한다. 우리는 지난 25년 간 가장 파괴적인 영향력을 발휘한 기술 관련 사건들을 살펴보기 위해, 효율적인 원 투 펀치 역할을 했던 기술들을 짝지어 묶어 보았다. 전편에 이어 10가지 기술 조합들을 지금부터 나열해 보도록 하겠다. 4. 클라우드 컴퓨팅 + 인터넷 연결형 휴대용 기기들 새로운 개념의 애플리케이션들을 품은 한 뭉치의 구름이 인터넷 지평선을 누비고 있다. 저렴한 저장공간, 수천 개의 저비용 서버들을 이용해 한 개의 대형 애플리케이션을 실행시킬 수 있는 소프트웨어, 그리고 더욱 접근 성이 강화된 인터넷 등이 한 데 뭉친 결과, 오늘날 사람들은 비로소 가상의 슈퍼 컴퓨터를 주머니 속에 집어 넣고 다닐 수 있게 되었다. 최근 아마존, 구글, IBM, 마이크로소프트 등 굵직한 기업들 모두 클라우드 컴퓨팅 시장을 노리기 시작했다. 클라우드 컴퓨팅이란, 로컬 네트워크나 데스크톱 PC 대신 대형 서버에서 실행되는 애플리케이션들을 의미하는 것으로, 인터넷을 통해 사용자와 기업들에 연결된다. 만약 구글 닥스, 세일즈포스닷컴, 야후 메일, 또는 조호 라이터를 사용해 본 적이 있다면, 이미 클라우드 컴퓨팅을 경험한 것이라 할 수 있다. 인터넷 기반의 컴퓨팅이 보편화 됨으로써, 휴대용 기기들의 디자인과 그 용도에도 변화의 바람이 불어 닥칠 것이라고 AMR 리서치(AMR Research)의 진보하고, 떠오르는, 그리고 파괴력 있는 기술들을 담당하고 있는 부회장 조나단 야르미스(Jonathan Yarmis)는 말했다. 주로 용량을 많이 차지하는 ...

MP3 냅스터 슬링박스 2008.06.29

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