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인텔, 'CPU 안에 여러 공정 혼합하는' EMIB 기술 강조

Gordon Mah Ung | PCWorld 2017.03.29
인텔이 화요일, 언론 및 경제 전문가를 대상으로 한 기술 발표일에 단일 연속 슬래브 실리콘을 사용하는 현재의 프로세서가 곧 고속으로 상호연결된 다양한 칩으로 진화할 것이라고 발표했다. 이날 조명받은 기술은 EMIB다.

인텔은 새로운 EMIB(임베디드 멀티 다이 인터커넥트 브리지, Embedded Multi-die Interconnect Bridge) 기술을 통해 22nm 칩을 10nm칩과 14nm칩에 모두 연결할 수 있다고 밝혔다. 인텔 클라이언트, 사물인터넷, 시스템 아키텍처 그룹 머피 렌더친탈라는 “예를 들어 실리콘 블록과 IP를 서로 다른 노드에서 만들어진 저전력 소자를 합쳐 최적화를 이룰 수 있다”고 설명했다.

이번 발견은 많은 CPU와 SoC가 개발되는 과정에 대한 근본적인 출발점이다. 대다수 CPU와 SoC가 같은 공정으로 구축된다.

렌더친탈라는 EMIB가 곧 출시될 인텔 SoC나 CPU에 바로 적용되지는 않을 것이라면서도, 인텔의 향후 제품 포트폴리오에서 EMIB 기술이 큰 역할을 할 것이 확실시된다고 말했다.

렌더친탈라에 따르면 EMIB는 ‘멀티 기가바이트’급 속도를 낼 수 있고, 기존 멀티 칩 기술보다 대기 시간이 4배 줄어드는 “인텔의 진정한 변혁적 기술”이다.

현재의 CPU는 모든 부분이 같은 공정으로 개발되는 모놀리식 설계다.


인텔은 EMIB를 사용해 최신 10nm 공정에서 CPU와 그래픽 코어를 구축하고, 14nm 공정에서 저성능 부품을 유지할 수 있다. 예를 들어 전원 회로 등 22nm 공정이 유리한 다른 부품은 더 큰 공정을 고수할 수 있다. 과거 인텔은 4세대 하스웰과 5세대 브로드웰 칩으로 CPU에 전압 조절을 통합하는 작업에 집중했다. 6세대 스카이 레이크와 7세대 케이비 레이크에서는 완전 통합 전압조절기(FIVR)가 제거됐는데, 일부 전문가들은 이 부품을 14nm로 축소하는 데 문제가 있었다고 주장하기도 했다. EMIB 기술은 FIVR을 22nm 공정으로 유지할 수 있다는 장점이 있다.

인텔은 하나의 프로세서에 다양한 공정으로 만들어진 부품을 조합하는 멀티플 공정 기술을 제시했다.


인텔이 하나의 CPU에 2개의 칩 통합을 고려한 것은 이번이 처음이 아니다. 원래 펜티엄 프로 설계는 코어 2 쿼드 시리즈 CPU처럼 멀티 칩 패키지로 구성되었다.

인텔은 EMIB 기술이 기존보다 성능 면에서 훨씬 뛰어나다고 밝혔다.


그러나 EMIB는 훨씬 발전한 기술이며, 실리콘 자체에 적용될 수 있다. 전통적인 멀티 칩 패키지 설계는 칩을 장착한 기판을 통해 와이어를 연결한다. 와이어 양과 허용 속도를 제한하는 부분이다.

또 다른 방법은 실리콘 인터포저로 다이를 연결하는 것이다. 고밀도 와이어와 고성능을 보장하지만, 제조업체 입장에서는 생산 비용이 많이 든다는 단점이 있다.

인텔은 EMIB 인터커넥트 기술로 멀티플 칩 방식을 적용한 알테라 스트라틱스 10을 출시한 바 있다.


인텔은 이미 EMID 기술로 SoC를 구성하는 알테라 스트라틱스(Altera Stratix) 10을 출시한 바 있다. editor@itworld.co.kr 

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