인텔은 새로운 EMIB(임베디드 멀티 다이 인터커넥트 브리지, Embedded Multi-die Interconnect Bridge) 기술을 통해 22nm 칩을 10nm칩과 14nm칩에 모두 연결할 수 있다고 밝혔다. 인텔 클라이언트, 사물인터넷, 시스템 아키텍처 그룹 머피 렌더친탈라는 “예를 들어 실리콘 블록과 IP를 서로 다른 노드에서 만들어진 저전력 소자를 합쳐 최적화를 이룰 수 있다”고 설명했다.
이번 발견은 많은 CPU와 SoC가 개발되는 과정에 대한 근본적인 출발점이다. 대다수 CPU와 SoC가 같은 공정으로 구축된다.
렌더친탈라는 EMIB가 곧 출시될 인텔 SoC나 CPU에 바로 적용되지는 않을 것이라면서도, 인텔의 향후 제품 포트폴리오에서 EMIB 기술이 큰 역할을 할 것이 확실시된다고 말했다.
렌더친탈라에 따르면 EMIB는 ‘멀티 기가바이트’급 속도를 낼 수 있고, 기존 멀티 칩 기술보다 대기 시간이 4배 줄어드는 “인텔의 진정한 변혁적 기술”이다.
인텔은 EMIB를 사용해 최신 10nm 공정에서 CPU와 그래픽 코어를 구축하고, 14nm 공정에서 저성능 부품을 유지할 수 있다. 예를 들어 전원 회로 등 22nm 공정이 유리한 다른 부품은 더 큰 공정을 고수할 수 있다. 과거 인텔은 4세대 하스웰과 5세대 브로드웰 칩으로 CPU에 전압 조절을 통합하는 작업에 집중했다. 6세대 스카이 레이크와 7세대 케이비 레이크에서는 완전 통합 전압조절기(FIVR)가 제거됐는데, 일부 전문가들은 이 부품을 14nm로 축소하는 데 문제가 있었다고 주장하기도 했다. EMIB 기술은 FIVR을 22nm 공정으로 유지할 수 있다는 장점이 있다.
인텔이 하나의 CPU에 2개의 칩 통합을 고려한 것은 이번이 처음이 아니다. 원래 펜티엄 프로 설계는 코어 2 쿼드 시리즈 CPU처럼 멀티 칩 패키지로 구성되었다.
그러나 EMIB는 훨씬 발전한 기술이며, 실리콘 자체에 적용될 수 있다. 전통적인 멀티 칩 패키지 설계는 칩을 장착한 기판을 통해 와이어를 연결한다. 와이어 양과 허용 속도를 제한하는 부분이다.
또 다른 방법은 실리콘 인터포저로 다이를 연결하는 것이다. 고밀도 와이어와 고성능을 보장하지만, 제조업체 입장에서는 생산 비용이 많이 든다는 단점이 있다.
인텔은 이미 EMID 기술로 SoC를 구성하는 알테라 스트라틱스(Altera Stratix) 10을 출시한 바 있다. editor@itworld.co.kr