3D NAND 플래시 칩은 기본적으로 수직으로 쌓아 올리는 기술을 기반으로 하며, 이런 3D 기술은 적은 면적에 더 많은 용량을 집적할 수 있다는 것이 특징이다. 기존 평면 NAND 기술과 비교해 집적도가 높아지기 때문에 제조업체는 기가바이트당 생산 비용을 내릴 수 있다. 게다가 데이터 안정성과 전송 속도도 높일 수 있다.
이 때문에 NAND 플래시의 트랜지스터 크기가 이미 10나노 공정한 상황에서 제조업체들이 이런 물리적 한계를 극복할 수 있는 기술로 평가되고 있다.
3D NAND 칩의 대량생산을 가장 먼저 시작한 곳은 삼성으로, 2014년 자사의 V-NAND 기술로 32층 NAND 플래시를 생산했다. 인텔과 마이크론 역시 3D NAND를 생산한다.
WD는 자사의 일본 요카이치 공장에서 새로운 64층 3D NAND 플래시 칩의 시험 생산을 시작했고, 올해 하반기에는 대량 생산에 착수할 계획이다. editor@itworld.co.kr