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“차세대 탄소 나노튜브 메모리 상용화 눈앞에” 생산 시작한 NRAM 현황 점검

Lucas Mearian | Computerworld 2015.06.04


상호 접촉되지 않은 탄소 나노튜브는 높은 저항 상태이며 “off” 또는 “0” 상태를 나타낸다. 상호 접촉한 탄소 나노튜브는 낮은 저항 상태, 즉 “on” 또는 “1”이 된다.


NRAM의 두 가지 상태를 보여주는 그림. 탄소 나노튜브가 서로 닿으면 낮은 저항, 즉 “on” 상태가 되고, 떨어지면 높은 저항, 즉 “off” 상태가 된다.

난테로는 지난 몇 개월에 걸쳐 십여 명의 칩 설계 엔지니어를 영입했으며 현재 이들은 용량 증가를 위해 3차원(적층) 설계를 포함한 고집적 회로를 만들고 있다.

슈머겔은 “껌 하나의 크기에 지금은 몇 기가바이트 용량이 들어가지만 앞으로는 테라바이트 단위의 용량이 들어갈 것”이라고 말했다.

초기 NRAM 드라이브는 SSD 스틱 드라이브 또는 내부 메모리 보드와 비슷한 용도로 판매될 예정이다. 다만 난테로는 자체 NRAM 드라이브를 생산할 계획은 없다. 대신 지적 재산에 대한 라이선스를 다른 기업에 부여하여 각 기업에서 만들도록 할 예정이다. 현재 난테로 엔지니어들은 메모리 웨이퍼를 위한 칩 설계 작업을 계속 진행 중이다.

난테로의 탄소 나노튜브 메모리는 열과 진동, 압력에 대한 내성이 강한 만큼 항공우주 분야의 거대 기업 록히드 마틴(Lockheed Martin)과 세계 최대의 가스 및 석유 탐사/채굴 기업 슐룸베르거(Schlumberger Ltd)를 고객으로 두고 있다. 난테로는 그 외의 다른 고객은 밝히기를 거부했다.

슈머겔은 “슐룸베르거와 같은 기업은 당연히 유정 아래의 매우 높은 온도에서 작동할 수 있는 메모리가 필요할 것”이라고 말했다.

지속적인 자금 확보와 인력 확충
2001년에 설립된 난테로는 현재까지 다섯 차례의 펀딩을 통해 7,810만 달러의 자금을 확보했다. 최근에 종료된 시리즈 E 라운드에서만 3,150만 달러를 모았다. 또한 인텔 플래시 메모리 그룹 부사장을 지낸 스테판 라이를 기술 고문으로 영입했다. 라이는 EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory) 플래시 메모리 셀을 공동 발명했으며, 인텔의 PCM 개발 팀을 이끈 인물이다.

라이는 “난테로의 NRAM은 플래시의 비휘발성, DRAM의 속도와 기능, 그리고 낮은 비용이라는 특성을 갖추고 있어 이상적인 메모리로 성장할 수 있는 가장 유력한 후보”라고 말했다.

난테로는 이노테라 메모리(Inotera Memories)의 전 부사장인 야웬후 역시 기술 고문으로 영입했다. 마이크론(Micron)의 파트너로 태국에 소재한 이노테라는 두 곳의 반도체 생산 설비를 통해 전세계 300mm DRAM 실리콘 웨이퍼의 약 10%를 공급한다.

웹피트 리서치(Webfeet Research) CEO인 앨런 니벨은 “극히 빠른 속도와 테라비트의 저장 용량을 제공하면서 전력 소비량은 매우 낮은 메모리 기술은 전자공학의 미래를 바꾸어 놓을 잠재력을 지녔다”면서 “NRAM을 12년 이상 연구 조사해온 웹피트는 지난 2년 동안 NRAM 칩 CNT 비용을 10분의 1로 낮추고 CMOS와의 호환성을 확보하고 라이선스 기업들의 생산 역량을 통한 NRAM의 실현 가능성을 입증한 난테로의 업적을 높이 평가한다”고 말했다.  editor@itworld.co.kr

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