디지털 디바이스 / 미래기술

"우표 위의 테라바이트" 상용화에 한걸음 다가선 RRAM

Lucas Mearian | Computerworld 2014.12.17


RRAM에서 맨 위의 금속층은 전도성 전극을 생성하고 중간층은 비결정성 실리콘 전환 매체이며 아래 층은 비금속성이다. 두 전극 사이에 프로그래밍 전압이 인가되면 맨 위 전극의 나노 입자가 전환 재료로 퍼지면서 필라멘트를 생성한다. 필라멘트가 하단 전극과 접촉하면 메모리 셀이 전도성이 된다. 두 전극 사이에 역방향 전압이 인가되면 필라멘트가 사라진다. 메모리 셀은 비전도성이다.


RRAM은 현재 NAND 플래시 제조업체가 사용하는 것에 비해 절반 크기의 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있게 된다. 칩 하나에 NAND 플래시보다 10배 더 많은 용량을 탑재하며, 데이터 비트를 저장하는 데 소비하는 전력은 20분의 1에 불과하다.

크로스바는 RRAM 메모리에서 발생할 수밖에 없는 셀 사이의 전자 누설을 “스니크 경로 전류”라고 한다.

크로스바는 RRAM의 데이터 오류 문제를 극복하기 위해 데이터를 저장하도록 프로그램된 셀로부터 인접 셀을 숨겨 의도하지 않은 변경을 차단하는 방법을 고안했다. 바로 셀에 대해 특정 전압 범위를 설정하는 방법이다. -1V에서 1V 사이로 프로그램된 셀은 무시되고, 이 범위를 벗어난 셀은 새 데이터를 저장하도록 프로그램이 가능하다.

스니크 경로 전류를 억제하는 이 FAST(Field-Assisted Superlinear Threshold) 셀렉터 소자 기술은 고집적 데이터 애플리케이션을 위한 RRAM을 사용화하는 데 있어 또 하나의 중요한 이정표다.

크로스바 CEO 조지 미나시안은 “18개월 전 크로스바 RRAM을 공개할 당시 우표 크기의 칩에 1TB까지 확장이 가능한 새로운 세대의 메모리를 위한 공격적인 계획을 발표했다”면서 “이번 기술 개발을 통해 상용화에 한걸음 다가섰으며 상용 제품에 RRAM 기술을 구현할 수 있게 됐다. 기업 스토리지와 고용량 비휘발성 Soc 메모리의 가능성을 새롭게 규정한 혁신적인 기술 진보”라고 강조했다.  editor@itworld.co.kr

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