램버스, 새로운 메모리 시그널링 기술 발표

편집부 | IDG Korea 2011.02.11

램버스(www.rambus.com)는 SoC-메모리 인터페이스에 대한 차동 시그널링을 20Gbps까지 대폭 끌어올리고 싱글-엔디드 메모리 시그널링을 12.8Gbps까지 확장할 수 있는 기술 혁신을 이뤘다고 발표했다.

 

또한 램버스는 데이터 속도의 증가에 따라 차세대 그래픽 및 게임 시스템에서 요구하는 성능 수준을 충족할 수 있도록 메모리 아키텍처를 싱글-엔디드에서 차동 시그널링으로 원활히 전환해주는 기술 개발 역시 성공했다.

 

램버스 테라바이트 대역폭 이니셔티브(Terabyte Bandwidth Initiative)의 최신 기술은 GDDR5 및 DDR3 같은 싱글-엔디드 메모리 아키텍처에 탁월한 전력 효율 및 호환성을 구현할 수 있도록 한다. 아울러 멀티모드의, SoC 메모리 인터페이스 PHY인 플렉스모드(FlexMode) 인터페이스 기술이 새롭게 통합돼 핀을 추가하지 않고도 단일 SoC 패키지 디자인에서 차동 시그널링과 싱글-엔디드 시그널링을 모두 지원할 수 있게 됐다.

 

램버스는 40nm 공정 기술에 기반한 실리콘 테스트 비히클(Test Vehicle)에서 20Gbps로 작동시 Gbps당 6mW의 전력 효율을 달성했다. 이러한 혁신은 전력 효율 및 호환성 요구 사항을 해결함으로써 시그널링 속도를 높이는 것과 관련된 중요한 시스템 문제를 극복하게 해준다.

 

반도체 사업부문의 샤론 홀트 수석 부사장 겸 총괄이사는 “램버스는 싱글-엔디드 시그널링을 통해 현재의 한계를 뛰어넘는 더욱 풍부한 솔루션을 제공함과 동시에, 차동 시그널링으로 원활하게 전환할 수 있게 해주는 수단을 제공함으로써 업계에 다양한 활로를 제공해 왔다”며 “또한 전력 효율을 대폭 높이는 방향으로 데이터 속도를 향상시키고 현재의 업계 표준 메모리에 대한 호환성을 구현함으로써 기술 및 비즈니스 관련 장벽을 없애 고객이 제품에서 차별화된 성능을 달성할 수 있도록 하고 있다”고 밝혔다. editor@idg.co.kr

 

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