2009.09.23

인텔, “무어의 법칙은 계속된다”

편집부 | IDG Korea

폴 오텔리니 인텔 사장 겸 CEO는 오늘 세계 최초로 22nm 공정 기술 기반의 워킹 칩과 실리콘 웨이퍼를 선보이며, "인텔에서, 무어의 법칙은 계속되고 있다"라고 강조했다.

 

“엔틸은 세계 최초로 32나노 마이크로프로세서 생산을 이미 시작했다. 이 제품은 그래픽과 CPU를 통합시킨 최초의 고성능 프로세서이기도 하다"라고 그는 밝히며, "이와 동시에 22나노 제조 기술 개발도 진행하고 있으며, 훨씬 더 강력하면서 좋은 성능의 프로세서를 생산하기 위한 기반이 될 워킹 칩을 만들었다”라고 전했다.

 

폴 오텔리니 사장이 선보인 22나노 웨이퍼는 3억 6,400만 비트 SRAM 메모리가 내장된 개별 다이로 구성되며 손톱 크기만한 면적에 29억 개의 트랜지스터를 담고 있다.

 

이 제품들에 내장된 SRAM 셀은 0.092 제곱마이크론 크기의 워킹 회로에서 사용된다. 22nm 공정의 워킹 칩에는 또 성능 향상 및 누수 전력 감소를 위해 3세대 하이-k 메탈 게이트 트랜지스터 기술이 적용돼 있다. editor@idg.co.kr

 



2009.09.23

인텔, “무어의 법칙은 계속된다”

편집부 | IDG Korea

폴 오텔리니 인텔 사장 겸 CEO는 오늘 세계 최초로 22nm 공정 기술 기반의 워킹 칩과 실리콘 웨이퍼를 선보이며, "인텔에서, 무어의 법칙은 계속되고 있다"라고 강조했다.

 

“엔틸은 세계 최초로 32나노 마이크로프로세서 생산을 이미 시작했다. 이 제품은 그래픽과 CPU를 통합시킨 최초의 고성능 프로세서이기도 하다"라고 그는 밝히며, "이와 동시에 22나노 제조 기술 개발도 진행하고 있으며, 훨씬 더 강력하면서 좋은 성능의 프로세서를 생산하기 위한 기반이 될 워킹 칩을 만들었다”라고 전했다.

 

폴 오텔리니 사장이 선보인 22나노 웨이퍼는 3억 6,400만 비트 SRAM 메모리가 내장된 개별 다이로 구성되며 손톱 크기만한 면적에 29억 개의 트랜지스터를 담고 있다.

 

이 제품들에 내장된 SRAM 셀은 0.092 제곱마이크론 크기의 워킹 회로에서 사용된다. 22nm 공정의 워킹 칩에는 또 성능 향상 및 누수 전력 감소를 위해 3세대 하이-k 메탈 게이트 트랜지스터 기술이 적용돼 있다. editor@idg.co.kr

 



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