대만 ITRI "디램, 낸드 대체 메모리 개발 중"

Dan Nystedt | IDG News Service 2009.04.21

중국 정부의 지원을 받는 연구 기관 디램의 빠른 속도와 낸드의 저장성을 모두 갖춘 'R램'(Resistive-RAM)을 개발하고 있다.

 

대만 ITRI(Industrial Technology Research Institute) 측은 최근 임베디드 칩 시장을 겨냉해 향후 수년 내에 R램을 개발 완료할 계획이라고 전했다.

 

ITRI의 나노전자 기술 부문 연구 디렉터 차이 밍 진은 그러나 "아직은 개발 초기 단계다. 현재로서는 안정성 면에서 디램과 경쟁하기 어려운 상태"라고 말했다.

 

메모리 관련 연구기관은 모두 디램 및 낸드 플래시를 대체할 차세대 메모리 개발을 진행 중인 상태다. 이들의 시장규모는 이미 수십 억 달러에 달할 정도로 방대하기 때문. 아이서플라이 자료에 따르면 작년 디램 시장 규모는 240억 달러에 달했다.

 

그러나 이들 연구는 종종 실패로 끝나왔던 것이 사실이다.

 

대표적인 것이 P램(Phase-change RAM)이다. 대만 ITRI 역시 그동안 진행해온 P램 연구를 점차 중단할 계획을 세우고 있는데, 당초 예상과 달리 P램의 생산이 어렵다고 판단한데 따른 것이다.

 

즉 디램과 낸드 플래시가 이미 확보한 호환성 및 생산 규모 등의 장점으로 인해 후발 기술들은 기술적 우위와 관계없이 대중화에 어려움을 겪어왔다.

 

차이는 이와 관련 "진입 장벽이 대단히 높다"라고 표현하며, 시장 진입을 위해 임베디드 칩 시장을 노리는 이유라고 설명했다.

 

그는 또 8인치 웨이퍼를 통해 1Kb 용량의 시제품을 완성하는 등, 주요 단계를 성공적으로 마무리한 상태지만 임베디드 시장에 적용될 수 있는 용량을 확보하기 위해서는 수년의 시간이 더 필요하다고 밝혔다. editor@idg.co.kr

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