3D-TSV
삼성전자, ‘12단 3차원 실리콘 관통 전극' 반도체 패키징 기술 개발
삼성전자가 ’12단 3차원 실리콘 관통전극(3D Through Silicon Via, 이하 3D-TSV)’ 기술을 개발했다. ’12단 3D-TSV’는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의...
삼성전자가 ’12단 3차원 실리콘 관통전극(3D Through Silicon Via, 이하 3D-TSV)’ 기술을 개발했다. ’12단 3D-TSV’는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의...