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인텔, “메모리의 미래” 3D 크로스포인트 기술 적용한 SSD '옵테인', 2016년 출시

James Niccolai | IDG News Service 2015.08.19
화요일, 샌프란시스코에서 열린 인텔 개발자 포럼에서 인텔이 3D NAND 플래시 메모리 크로스포인트 기술을 적용한 첫 SSD 제품을 2016년 안에 인텔 옵테인(Optane)이라는 브랜드 명으로 출시할 예정이라고 발표했다.

인텔은 지난 달 3D NAND 플래시 기술을 처음 발표한 바 있다. 마이크론과 공동 연구로, NAND 플래시 메모리 기술이 도입된 후 25년 만에 최초로 선보이는 첨단 메모리 및 스토리지 기술이라고 밝혔다.


이 날 포럼에서 인텔은 옵테인 SSD를 제품화해 2016년 안에 서버부터 저전력 랩톱까지 많은 제품에 적용할 계획이라고 발표했다. 또한, 서버의 주 시스템 메모리로 DIMMs를 상용화할 계획을 밝혔으나 이 또한 2016년에 출시될지 여부는 확실하지 않다. DIMMs 메모리는 향후 인텔 제온 서버 프로세서에 적용된다.

3D 크로스포인트 플래시 메모리는 기능상 DRAM과 플래시의 중간에 위치할 것으로 보인다. 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리가 DRAM보다 집적도가 10배 더 높고, 플래시 메모리보다 1,000배 더 빠르다고 밝혔다. 동시에 플래시처럼 비휘발성 메모리인데, 이는 전력 공급이 중단된 후에도 데이터를 보유함을 의미한다.


인텔 CEO 브라이언 크르자니크는 3D 크로스포인트 프로토타입을 시연해 보였는데, 개발사가 주장하는 것처럼 빠르지는 않았지만, 인텔의 제일 빠른 NAND 플래시 메모리 속도보다 약 7배 빠른 성능을 보였다.

인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트 메모리 기술이 기업 분석 프로그램부터 컴퓨터 게임까지 모든 분야에서 사용되는 데이터 증가분을 다루게 될 것이라고 밝혔다. 크르자니크는 “현재의 스토리지 설계는 병목 현상을 겪고 있다”고 지적했다.

인텔은 훨씬 더 현실에 가깝고 몰입도 높은 컴퓨터 게임이 쏟아져 나올 것을 기대한다며, 3D 크로스포인트 메모리 기술이 게이머가 게임 장면이 디스크 드라이브에서 로딩되는 것을 기다리지 않고, 각 게임 장면이 즉각적으로 재생되는 새로운 게임 환경을 가능하게 할 것이라고 밝혔다. 또한, 거대한 인메모리 데이터베이스에도 적합해 기업이 더 많은 데이터를 실시간으로 분석할 수 있을 것이라고 전망했다.

3D 크로스포인트 메모리 기술은 3차원으로 설계된 격자 모양 와이어를 사용했다. 와이어 상에서 각각의 교차점은 미세한 스위치로 작용한다. 이 교차점에 있는 물질의 상태 변화에 따라 1과 0이 표현되는 원리다. 인텔은 드라이브 기술과 함께, 연관된 스토리지 콘트롤러, 인터페이스, 인터커넥트 등도 결합할 예정이다. editor@itworld.co.kr 
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