하이닉스, 세계 최초 2Gb 모바일 D램 개발

편집부 | 연합뉴스 2008.12.03

(서울=연합뉴스) 맹찬형 기자 = 하이닉스반도체는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발, 내년 상반기부터 양산할 예정이라고 3일 밝혔다.

 

   이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로, MCP(Multi Chip Package)와 PoP(Package on Package) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 가운데 현재 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다.

 

   전력 소비도 기존 메모리 제품의 8분의 1에 불과해 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다.

 

   또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하고, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다.

 

   하이닉스는 "이번 제품은 모바일 인터넷 디바이스를 비롯한 울트라 모바일 PC(UMPC) 등의 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 급속하게 고용량화, 저전력화, 고속화, 소형화하고 있는 모바일 시장을 선도할 것으로 보인다"고 밝혔다.

 

   한편 시장 조사기관 아이서플라이에 따르면 모바일 D램 시장은 2007년부터 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장하고, 휴대전화의 모바일 D램 채용률도 2007년 30% 수준에서 2012년 83%까지 성장할 것으로 예상된다.

 

 

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