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하이닉스, 세계 최초로 128GB DDR4 메모리 모듈 발표

Lucas Mearian | Computerworld 2014.04.08
SK하이닉스는 7일 세계 최초로 기존 64GB 모듈의 두 배의 용량을 가진 128GB DDR4 메모리 모듈을 개발했다고 발표했다.

이 새로운 메모리 모듈은 세계에서 가장 고집적 모듈로, 20nm 프로세스 평판 기술을 통해 만들어진 8Gb DDR4 칩을 기반으로 한다.

이 메모리 모듈은 64비트 I/O에 2,133Mbps로, 1초 당 17GB 이상의 데이터 전송이 가능하다. 동작 전압 또한 1.2V ULV(ultra low-voltage)으로, 지난 DDR3 메모리 모듈의 1.35V보다 낮아졌다.

하이닉스, 삼성, 크루셜과 같은 주요 메모리 제조업체들은 차세대 DDR4 메모리를 생산하기 시작했다. 하지만 올해 말까지 서버 내에, 2015년까지 PC에 장착될 것이라고는 예상하지 못했다.

그러나 산업 애널리스트에 따르면, 인텔과 AMD(Advanced Micro Devices)가 자사의 프로세서 보드에 DDR4 지원을 시작할 때까지 사용자들은 두배의 성능과 두배의 기본 용량, 그리고 현재 기술보다 20~40% 적게 소모되는 전력 등의 효과를 즐길 수 없을 것이다.

인텔은 올 3분기 내에 하이엔드 컴퓨터에 DDR4 메모리 지원을 추가할 것으로 예상된다.

하이닉스는 컴퓨터 제조업체들에게 곧 128GB와 64GB DDR4 모듈을 공급하기 시작할 계획이라고 말했다. 내년 초, 양산체제에 들어갈 것으로 예상했던 하이닉스의 128GB 메모리는 기존 64GB 모듈의 두배의 집적도를 갖고 있으며, TSV(Through Silicon Via), 즉 실리콘 관통 전극이라는 기술을 사용한다.

TSV는 실리콘 다이에 구멍을 뚫고 칩을 수직으로 쌓아 올린 뒤 관통 전극으로 연결하는 기법으로, 3차원 적층 IC(integrated circuits)를 만드는데 사용된다.

시장조사기관인 가트너에 따르면, 이 서버 DRAM 시장은 모바일 환경의 성장으로 인해 2018년까지 평균 37% 성장을 기록할 것이다.
가트너는 새로운 인터페이스 DDR4는 올해 고객들에게 인증받고 2015년에는 상용화가 될 것으로 예측했다. 또한 2016년에는 산업계에서 주요 표준으로 자리잡을 것이라고 예상했다.

하이닉스 DRAM 개발본부장 홍성주 전무는 공식 성명에서 "세계에서 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발한 것은 고집적 서버 시장을 주도한다는 의미를 갖는다"며, 하이닉스는 앞으로 고집적, 초고속, 저전력 소비 제품 개발을 통해 프리미엄 DRAM 영역에서 자체 경쟁력을 강화시킬 것"이라고 말했다. editor@itworld.co.kr

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