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DRAMeXange "2017년 플래시 메모리의 대세는 3D NAND"

Lucas Mearian | Computerworld 2017.04.26
플래시 셀을 미세한 고층빌딩처럼 한층씩 쌓아올리는 3D NAND가 올해 모든 플래시 메모리 제조사의 주요 기술이 될 것이라는 보고서가 발표됐다.

DRAMeXchange의 최신 보고서에 따르면, NAND 플래시 제조업체들은 제조 공정을 기존 평면 2D NAND보다 밀도가 높고 빠르고 저렴한 3D NAND로 전환하려는 노력에 집중했다.

 BiCS(Bit Cost Scaling는 웨스턴 디지털과 파트너 도시바가 SSD와 기타 NAND 플래시 제품을 생산하는 데 사용하는 수직 스태킹과 3D 기술이다.


주요 3D NAND 생산업체인 삼성과 마이크론에 뒤이어 대다수 NAND 플래시 공급 업체들도 2017년 하반기 64층 3D NAND 칩의 대량 생산에 들어갈 예정이다.

올해 초 웨스턴 디지털과 파트너사인 도시바는 각 플래시 셀에 저장된 3비트 데이터로 업계에서 가장 밀도가 높은 64층 NAND 플래시 제품 생산에 돌입했다.

3D NAND 플래시 칩은 BiCS라는 수직 3D 스태킹 기술을 기반으로 한다. 웨스턴 디지털은 64층 NAND 플래시 기술을 기반으로 최초의 512Gb 3D NAND 칩의 파일럿 생산을 시작했다.

DRAMeXchange에 따르면 웨스턴 디지털의 64스택 제품 샘플링은 5월 말부터 시작되며, 하반기에는 대량 생산이 시작될 것이다.

3D NAND 메모리가 대량으로 생산되면 기업 입장에서는 데이터센터와 워크스테이션에서 사용할 수 있는 비휘발성 메모리 가격이 하락하는 효과를 누릴 수 있다.

인텔은 중국의 프로세서 칩 공장을 3D NAND 플래시 칩으로 전환하고 있다.


그러나 3D NAND 플래시 생산량의 증가에도 불구하고, 다음 버전 아이폰 부품의 재고 확보와 SSD 공급 업체의 꾸준한 수요로 인해 전체 NAND 플래시는 연중 계속 공급될 것이라고 보고서는 예측했다.

3D NAND 플래시는 삼성, 마이크론의 NAND 플래시 출시량의 절반 이상을 차지한다. SK 하이닉스 역시 72층 NAND 칩 출시 준비에 나섰다.

DRAMeXchange는 여전히 삼성전자가 3D NAND 기술 경쟁에서 타사보다 앞서 있다고 밝혔다. 삼성의 48층 칩은 기업 및 클라이언트 급 SSD와 모바일 NAND 제품에 널리 쓰인다.

마이크론의 모바일 기기용 3D NAND 플래시 칩


삼성은 평택 신축 공장에 장비 설치를 완료했으며, 올해 7월 초 64층 플래시 칩을 생산할 예정이다.

삼성에 이어 두 번째로 큰 3D NAND 플래시 공급 업체는 마이크론이다. 마이크론은 현재 32층 칩을 사용하는 주요 메모리 모듈 제조사와 자체 브랜드 SSD를 출하하고 있다. editor@itworld.co.kr  

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